产品详情
起批量：≧1 台
价格：￥8950.00
产品型号：HTS 240-800-SCR
品牌：BEHLKE
所在地：北京
| 品牌：BEHLKE | 加工定制：否 | 型号：HTS 240-800-SCR | ||||
| 类型：扩散硅 | 测量范围：150 kPa | 测量介质：650 | ||||
| 精度等级：156 | 输出信号：0156 mA | 防爆等级：01 | ||||
| 防护等级：2301 | 电源电压：560 V | 接口尺寸：1560 mm |
Behlke 产品组C1 - MOSFET开关，可变导通时间，用于一般用途
1）HTS 181-01-C，MOSFET开关，紧凑型系列。可变导通时间从50 ns到无限。18 kV，12 A，上升时间<15 ns。尺寸79 x 38 x 25 mm。选择。推荐使用PT-HV（HV尾纤）。
2）HTS 151-0 2，MOSFET开关，带选件FC（扁平外壳），带标准连接器。可变导通时间从50 ns到无限。15 kVDC，25 A pk，上升时间<8 ns.On-resistance <30 Ohm。
3） HTS 331-06，通用MOSFET开关，带选件CF（散热片），C-DR（驱动器冷却）和HFS（高频开关）。33 kVDC，60 A.导通电阻<33欧姆。
Behlke 产品组C2 - 具有可变导通时间和高di / dt的MOSFET开关
1）HTS 61-40，具有高di / dt的MOSFET开关。可变导通时间从300 ns到无限。6 kVDC，400 A pk。上升时间<10 ns @Ip（*大值）
2）HTS 101-20，MOSFET开关具有高di / dt。可变导通时间从300 ns到无限。10 kVDC，200 A pk。上升时间<12 ns @Ip（*大值）
3）HTS 311-130-B，沟道FET技术中具有高di / dt的MOSFET开关。可变导通时间300 ns - ∞。31 kVDC，1300 A pk。上升时间<20 ns @Ip（*大值）。独立控制单元。
HTS 31-GSM连接和操作：
HTS 31-GSM可以产生正，负和双极脉冲。相应的附件高压侧的电路如图所示相邻图。为了短暂的过渡缓冲电容器CB少应该具有的时间负载电容CL的值的十倍。该串联电阻器Rs不是必要的推荐用于阻抗匹配和阻尼累积瞬变，用于短路保护，有时还可以减轻负担该切换电容功率耗散。在可能的阻抗的情况下匹配它应该注意静态上电阻Rstat随流动的负载电流而变化。因此，在高电容和a相应的高脉冲电流Rs的值有时候可以减少到更短的时间过渡时期。*好确定*佳值根据经验，卢比的价值关于边缘陡度的个别要求和瞬态响应。带负载电容超过1 nf的峰值电流应该是有限的通过卢比达到30安培。
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学校实验室常用德国BEHLKE HTS 200-800-SCR
